中 CXMT 차세대 메모리 기술 진전 발표에 삼성·SK하이닉스 동반 하락

3줄 요약

• Investing.com에 따르면 중국 메모리 반도체 업체 CXMT(창신메모리테크놀로지)가 사우스차이나모닝포스트(SCMP) 보도를 인용해 삼성전자·SK하이닉스도 추구하는 4F² 메모리 셀 구조에서 "핵심적 진전"을 이뤘다고 밝힌 뒤 월요일 삼성전자 주가는 3.6% 하락한 25만 2,500원, SK하이닉스는 3.4% 하락한 162만 4,000원을 기록했다. CXMT 주가도 3.1% 하락한 49.42위안이었다.
• 4F² 구조는 CXMT 자체 개발한 수직 서라운딩 게이트 트랜지스터를 활용해 칩에 더 많은 메모리 셀을 넣어 저장 용량을 늘리는 것을 목표로 하며, 현재 주류 상용 DRAM이 쓰는 6F² 구조와 대비된다. CXMT 카오간위 사장은 주말 상하이 업계 행사에서 이 기술 기반의 차세대 DDR5 RDIMM을 기업용 서버 대상으로 2026년 말까지 출시할 계획이라고 밝혔으나 세부 사양이나 정확한 출시일은 공개하지 않았다.
• SK하이닉스는 2025년 자체 4F² 개발 로드맵을 공개했고, 삼성전자는 이 설계를 적용한 10나노미터 미만 DRAM의 양산을 2028년까지 목표로 하고 있는 것으로 보도됐다.

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